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IRF5803TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF5803TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF5803TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF5803TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
IRF5803TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 177650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF5803TRPBF
Infineon Technologies - IRF5803TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF5803TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Micro6™(TSOP-6)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Ta)  
Numéro de produit de base IRF5803  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF5803TRPBF

Attributs du produit IRF5803TRPBF IRF5803D2 IRF5805TRPBF IRF5803D2PBF
Modèle de produit IRF5803TRPBF IRF5803D2 IRF5805TRPBF IRF5803D2PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Ta) 3.4A (Ta) 3.8A (Ta) 3.4A (Ta)
Séries HEXFET® FETKY™ HEXFET® FETKY™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur Micro6™(TSOP-6) 8-SO Micro6™(TSOP-6) 8-SO
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base IRF5803 - - -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 30 V 40 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 511 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Fonction FET - Schottky Diode (Isolated) - Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3.4A, 10V 112mOhm @ 3.4A, 10V 98mOhm @ 3.8A, 10V 112mOhm @ 3.4A, 10V

Fiche technique IRF5803TRPBF PDF

Téléchargez IRF5803TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF5803TRPBF - Infineon Technologies.

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