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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF5851TRPBF
IRF5851TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF5851TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF5851TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF5851TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
IRF5851TRPBF.pdf
En stock: 5010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF5851TRPBF
Infineon Technologies - IRF5851TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF5851TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V  
Puissance - Max 960mW  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A, 2.2A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base IRF58  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF5851TRPBF

Attributs du produit IRF5851TRPBF IRF5850TR IRF5852TR IRF5851TR
Modèle de produit IRF5851TRPBF IRF5850TR IRF5852TR IRF5851TR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Configuration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 135mOhm @ 2.2A, 4.5V 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V 320pF @ 15V 400pF @ 15V 400pF @ 15V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base IRF58 IRF58 IRF58 IRF58
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.25V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Puissance - Max 960mW 960mW 960mW 960mW
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A, 2.2A 2.2A 2.7A 2.7A, 2.2A
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V 5.4nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V

Fiche technique IRF5851TRPBF PDF

Téléchargez IRF5851TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF5851TRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Gen 8 Rev2 08/Jul/2011.pdf

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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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