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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF5852TRPBF
IRF5852TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF5852TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF5852TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF5852TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
IRF5852TRPBF.pdf
En stock: 4670

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF5852TRPBF
Infineon Technologies - IRF5852TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF5852TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V  
Puissance - Max 960mW  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF58  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF5852TRPBF

Attributs du produit IRF5852TRPBF IRF5810TR IRF5852TR IRF5810TRPBF
Modèle de produit IRF5852TRPBF IRF5810TR IRF5852TR IRF5810TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 15V 650pF @ 16V 400pF @ 15V 650pF @ 16V
Package composant fournisseur 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Puissance - Max 960mW 960mW 960mW 960mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 90mOhm @ 2.9A, 4.5V 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.25V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base IRF58 IRF58 IRF58 IRF58
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V 9.6nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V 9.6nC @ 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A 2.9A 2.7A 2.9A

Fiche technique IRF5852TRPBF PDF

Téléchargez IRF5852TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF5852TRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Gen 8 Rev2 08/Jul/2011.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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