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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxIRF5850TRPBF
IRF5850TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF5850TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF5850TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF5850TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
IRF5850PBF.pdf
En stock: 5190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF5850TRPBF
Infineon Technologies - IRF5850TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF5850TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-TSOP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 2.2A, 4.5V  
Puissance - Max 960mW  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base IRF58  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF5850TRPBF

Attributs du produit IRF5850TRPBF IRF5852TRPBF IRF5810TR IRF5851TR
Modèle de produit IRF5850TRPBF IRF5852TRPBF IRF5810TR IRF5851TR
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Numéro de produit de base IRF58 IRF58 IRF58 IRF58
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V 400pF @ 15V 650pF @ 16V 400pF @ 15V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 2.2A, 4.5V 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 90mOhm @ 2.9A, 4.5V 90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.25V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Puissance - Max 960mW 960mW 960mW 960mW
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A 2.7A 2.9A 2.7A, 2.2A
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V 9.6nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Fiche technique IRF5850TRPBF PDF

Téléchargez IRF5850TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF5850TRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 14/Dec/2012.pdf
Feuilles de données
IRF5850PBF.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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