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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSV236SP L6327
BSV236SP L6327 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSV236SP L6327 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSV236SP L6327
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSV236SP L6327
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
Description détaillée
Emballage
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
BSV236SP.pdf
En stock: 4880

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSV236SP L6327
Infineon Technologies - BSV236SP L6327 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSV236SP L6327

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 8µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-SOT363-PO  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 560mW (Ta)  
Package / Boîte 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 228 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSV236SP L6327

Attributs du produit BSV236SP L6327 STP15NM65N BSV236SPH6327XTSA1 STU6N90K5
Modèle de produit BSV236SP L6327 STP15NM65N BSV236SPH6327XTSA1 STU6N90K5
Fabricant Infineon Technologies STMicroelectronics Infineon Technologies STMicroelectronics
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 4.5 V 33.3 nC @ 10 V 5.7 nC @ 4.5 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta) 12A (Tc) 1.5A (Ta) 6A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 650 V 20 V 900 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 1.5A, 4.5V 380mOhm @ 6A, 10V 175mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 8µA 4V @ 250µA 1.2V @ 8µA 5V @ 100µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Séries OptiMOS™ MDmesh™ II OptiMOS™ MDmesh™ K5
Dissipation de puissance (max) 560mW (Ta) 125W (Tc) 560mW (Ta) 110W (Tc)
Package composant fournisseur PG-SOT363-PO TO-220 PG-SOT363-PO IPAK (TO-251)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 228 pF @ 15 V 983 pF @ 50 V 228 pF @ 15 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 10V 2.5V, 4.5V 10V
Vgs (Max) ±12V ±25V ±12V ±30V
Package / Boîte 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 TO-220-3 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Fiche technique BSV236SP L6327 PDF

Téléchargez BSV236SP L6327 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSV236SP L6327 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 30/Nov/2011.pdf
Feuilles de données
BSV236SP.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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