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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCH043N60
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCH043N60 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
FCH043N60
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-FCH043N60
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
FCH043N60.pdf
En stock: 3091

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCH043N60
Fairchild Semiconductor - FCH043N60 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - FCH043N60

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 38A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 592W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12225 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor FCH043N60

Attributs du produit FCH043N60 FCH043N60 FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155
Modèle de produit FCH043N60 FCH043N60 FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155
Fabricant Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc)
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 4.4mA 4.5V @ 4.4mA
Emballer Bulk Tube Tube Bulk
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 38A, 10V 43mOhm @ 38A, 10V 67mOhm @ 22A, 10V 67mOhm @ 22A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12225 pF @ 400 V 12225 pF @ 400 V 3090 pF @ 400 V 3090 pF @ 400 V
Dissipation de puissance (max) 592W (Tc) 592W (Tc) 312W (Tc) 312W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® III SuperFET® III
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 650 V 650 V

Mode de transport

Délai de livraison

Les articles en stock peuvent être expédiés dans les 24 heures.Certaines pièces seront organisées pour la livraison dans les 1 à 2 jours à compter de la date à laquelle tous les articles arrivent à notre entrepôt.Et Allelco Ships commande une fois par jour vers 17h00, sauf dimanche.Une fois les marchandises expédiées, le délai de livraison estimé dépend des méthodes d'expédition et de la destination de livraison.Le tableau ci-dessous montre le moment logistique de certains pays communs.

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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