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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLL2705TRPBF
IRLL2705TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLL2705TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLL2705TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLL2705TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
IRLL2705TRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 54030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLL2705TRPBF
Infineon Technologies - IRLL2705TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLL2705TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.8A (Ta)  
Numéro de produit de base IRLL2705  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLL2705TRPBF

Attributs du produit IRLL2705TRPBF IRLL2705PBF IRLL2705TR IRLL2703PBF
Modèle de produit IRLL2705TRPBF IRLL2705PBF IRLL2705TR IRLL2703PBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.8A (Ta) 3.8A (Ta) 3.8A (Ta) 3.9A (Ta)
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3.8A, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V 45mOhm @ 3.9A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V - 4V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT) Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 14 nC @ 5 V
Numéro de produit de base IRLL2705 - - -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 1W (Ta) - 1W (Ta)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V ±16V - ±16V
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique IRLL2705TRPBF PDF

Téléchargez IRLL2705TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLL2705TRPBF - Infineon Technologies.

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Conception / spécification PCN
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Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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