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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP15NM65N
STP15NM65N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP15NM65N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP15NM65N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP15NM65N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STF,FI,P15NM65N.pdf
État RoHS
En stock: 4580

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP15NM65N
STMicroelectronics - STP15NM65N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP15NM65N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 983 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base STP15N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP15NM65N

Attributs du produit STP15NM65N STP15NM60N STP160N3LL STP15N65M5
Modèle de produit STP15NM65N STP15NM60N STP160N3LL STP15N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33.3 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 42 nC @ 4.5 V 22 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base STP15N STP15N STP160 STP15
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±25V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V 299mOhm @ 7A, 10V 3.2mOhm @ 60A, 10V 340mOhm @ 5.5A, 10V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 125W (Tc) 136W (Tc) 125W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 983 pF @ 50 V 1250 pF @ 50 V 3500 pF @ 25 V 810 pF @ 100 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 14A (Tc) 120A (Tc) 11A (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 30 V 650 V
Séries MDmesh™ II MDmesh™ II STripFET™ H6 MDmesh™ V

Fiche technique STP15NM65N PDF

Téléchargez STP15NM65N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP15NM65N - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
IPD/15/9345 04/Aug/2015.pdf
Feuilles de données
STF,FI,P15NM65N.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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