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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSV236SPH6327XTSA1
BSV236SPH6327XTSA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSV236SPH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSV236SPH6327XTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSV236SPH6327XTSA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
Description détaillée
Emballage
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
BSV236SPH6327XTSA1.pdf
État RoHS
En stock: 287690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSV236SPH6327XTSA1
Infineon Technologies - BSV236SPH6327XTSA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSV236SPH6327XTSA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 8µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-SOT363-PO  
Séries OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 560mW (Ta)  
Package / Boîte 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 228 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta)  
Numéro de produit de base BSV236  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSV236SPH6327XTSA1

Attributs du produit BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SP L6327 IXTC13N50 FDD2612
Modèle de produit BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SP L6327 IXTC13N50 FDD2612
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies IXYS onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 228 pF @ 15 V 228 pF @ 15 V 2800 pF @ 25 V 234 pF @ 100 V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Numéro de produit de base BSV236 - IXTC13 FDD261
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 500 V 200 V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 ISOPLUS220™ TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 8µA 1.2V @ 8µA 4V @ 2.5mA 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 560mW (Ta) 560mW (Ta) 140W (Tc) 42W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur PG-SOT363-PO PG-SOT363-PO ISOPLUS220™ TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175mOhm @ 1.5A, 4.5V 175mOhm @ 1.5A, 4.5V 400mOhm @ 6.5A, 10V 720mOhm @ 1.5A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 4.5 V 5.7 nC @ 4.5 V 120 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 12A (Tc) 4.9A (Ta)
Séries OptiMOS™ OptiMOS™ - PowerTrench®

Fiche technique BSV236SPH6327XTSA1 PDF

Téléchargez BSV236SPH6327XTSA1 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour BSV236SPH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Chgs 2/Feb/2023.pdf
Emballage PCN
Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BSV236SPH6327XTSA1

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