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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTK40A06N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TK40A06N1,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
TK40A06N1,S4X
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-TK40A06N1,S4X
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 40A TO220SIS
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
TK40A06N1,S4X.pdf
État RoHS
En stock: 87990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TK40A06N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage - TK40A06N1,S4X Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TK40A06N1,S4X

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 300µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220SIS  
Séries U-MOSVIII-H  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)  
Numéro de produit de base TK40A06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TK40A06N1,S4X

Attributs du produit TK40A06N1,S4X TK40A10K3 MOS TK40A08K3 TK40A10K3(STA4,Q,M)
Modèle de produit TK40A06N1,S4X TK40A10K3 MOS TK40A08K3 TK40A10K3(STA4,Q,M)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 30 V - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Type de montage Through Hole - - -
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base TK40A06 - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
Emballer Tube - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 20A, 10V - - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Séries U-MOSVIII-H - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V - - -
type de FET N-Channel - - -
Package composant fournisseur TO-220SIS - - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc) - - -
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 300µA - - -

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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