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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTLUS4C12NTAG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTLUS4C12NTAG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTLUS4C12NTAG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTLUS4C12NTAG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 6.8A 6UDFN
Description détaillée
Emballage
6-UDFN Exposed Pad
Fiche technique
NTLUS4C12N.pdf
État RoHS
En stock: 5040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTLUS4C12NTAG
onsemi - NTLUS4C12NTAG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTLUS4C12NTAG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-UDFN (2x2)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 630mW (Ta)  
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1172 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3.3V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.8A (Ta)  
Numéro de produit de base NTLUS4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTLUS4C12NTAG

Attributs du produit NTLUS4C12NTAG NTLUS3A18PZCTAG NTLUS3A18PZTBG NTLUS3C18PZTAG
Modèle de produit NTLUS4C12NTAG NTLUS3A18PZCTAG NTLUS3A18PZTBG NTLUS3C18PZTAG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 28 nC @ 4.5 V 28 nC @ 4.5 V 15.8 nC @ 4.5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.8A (Ta) 5.1A (Ta) 5.1A (Ta) 4.4A (Ta)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 12 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-PowerUFDFN
Séries - - µCool™ -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1172 pF @ 15 V 2240 pF @ 15 V 2240 pF @ 15 V 1570 pF @ 6 V
Package composant fournisseur 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (1.6x1.6)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 3.3V, 10V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Numéro de produit de base NTLUS4 NTLUS3A NTLUS3 NTLUS3
Vgs (Max) ±20V ±8V ±8V ±8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 9A, 10V 18mOhm @ 7A, 4.5V 18mOhm @ 7A, 4.5V 24mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 630mW (Ta) - 700mW (Ta) 660mW (Ta)

Fiche technique NTLUS4C12NTAG PDF

Téléchargez NTLUS4C12NTAG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTLUS4C12NTAG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
NTLUS4C12N.pdf
Assemblage / origine PCN
NTLUS4C12NTAG Assembly Add 7/May/2019.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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