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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTLUS3A18PZTBG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTLUS3A18PZTBG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTLUS3A18PZTBG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTLUS3A18PZTBG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Description détaillée
Emballage
6-UDFN Exposed Pad
Fiche technique
NTLUS3A18PZ.pdf
État RoHS
En stock: 108040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTLUS3A18PZTBG
onsemi - NTLUS3A18PZTBG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTLUS3A18PZTBG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-UDFN (2x2)  
Séries µCool™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)  
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2240 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Ta)  
Numéro de produit de base NTLUS3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTLUS3A18PZTBG

Attributs du produit NTLUS3A18PZTBG NTLUS3A90PZTAG NTLUS3A40PZTAG NTLTS3107PR2G
Modèle de produit NTLUS3A18PZTBG NTLUS3A90PZTAG NTLUS3A40PZTAG NTLTS3107PR2G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Ta) 2.6A (Ta) 4A (Ta) -
Séries µCool™ µCool™ µCool™ -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V -
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad 6-PowerUFDFN 6-UDFN Exposed Pad -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2240 pF @ 15 V 950 pF @ 10 V 2600 pF @ 15 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7A, 4.5V 62mOhm @ 4A, 4.5V 29mOhm @ 6.4A, 4.5V -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V 12.3 nC @ 4.5 V 29 nC @ 4.5 V -
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V -
Package composant fournisseur 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (1.6x1.6) 6-UDFN (2x2) -
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta) 600mW (Ta) 700mW (Ta) -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Numéro de produit de base NTLUS3 NTLUS3 NTLUS3 NTLTS31

Fiche technique NTLUS3A18PZTBG PDF

Téléchargez NTLUS3A18PZTBG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTLUS3A18PZTBG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
Feuilles de données
NTLUS3A18PZ.pdf
Conception / spécification PCN
Copper Wire Conversion 29/May/2014.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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