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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTLUS3C18PZTBG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTLUS3C18PZTBG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTLUS3C18PZTBG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTLUS3C18PZTBG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Description détaillée
Emballage
6-PowerUFDFN
Fiche technique
NTLUS3C18PZ.pdf
État RoHS
En stock: 4600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTLUS3C18PZTBG
onsemi - NTLUS3C18PZTBG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTLUS3C18PZTBG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-UDFN (1.6x1.6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 660mW (Ta)  
Package / Boîte 6-PowerUFDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 6 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.8 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A (Ta)  
Numéro de produit de base NTLUS3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTLUS3C18PZTBG

Attributs du produit NTLUS3C18PZTBG NTLUS3A18PZCTAG NTLUS3A90PZTAG NTLUS4930NTAG
Modèle de produit NTLUS3C18PZTBG NTLUS3A18PZCTAG NTLUS3A90PZTAG NTLUS4930NTAG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Numéro de produit de base NTLUS3 NTLUS3A NTLUS3 NTLUS4930
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.8 nC @ 4.5 V 28 nC @ 4.5 V 12.3 nC @ 4.5 V 8.7 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 660mW (Ta) - 600mW (Ta) 650mW (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Package composant fournisseur 6-UDFN (1.6x1.6) 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (1.6x1.6) 6-UDFN (2x2)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±20V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 6 V 2240 pF @ 15 V 950 pF @ 10 V 476 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 4.5V 18mOhm @ 7A, 4.5V 62mOhm @ 4A, 4.5V 28.5mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Séries - - µCool™ -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.4A (Ta) 5.1A (Ta) 2.6A (Ta) 3.8A (Ta)
Package / Boîte 6-PowerUFDFN 6-UDFN Exposed Pad 6-PowerUFDFN 6-UDFN Exposed Pad
Tension drain-source (Vdss) 12 V 20 V 20 V 30 V

Fiche technique NTLUS3C18PZTBG PDF

Téléchargez NTLUS3C18PZTBG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTLUS3C18PZTBG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Feuilles de données
NTLUS3C18PZ.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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