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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTLUF4189NZTBG
NTLUF4189NZTBG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTLUF4189NZTBG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTLUF4189NZTBG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTLUF4189NZTBG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
Description détaillée
Emballage
6-UFDFN Exposed Pad
Fiche technique
NTLUF4189NZ.pdf
En stock: 4860

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTLUF4189NZTBG
onsemi - NTLUF4189NZTBG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTLUF4189NZTBG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-UDFN (1.6x1.6)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte 6-UFDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 95 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.2A (Ta)  
Numéro de produit de base NTLUF41  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTLUF4189NZTBG

Attributs du produit NTLUF4189NZTBG NTLUS3A39PZTAG NTLUS3A18PZTCG NTLUS3A40PZTAG
Modèle de produit NTLUF4189NZTBG NTLUS3A39PZTAG NTLUS3A18PZTCG NTLUS3A40PZTAG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 600mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.2A (Ta) 3.4A (Ta) 5.1A (Ta) 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V 39mOhm @ 4A, 4.5V 18mOhm @ 7A, 4.5V 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 95 pF @ 15 V 920 pF @ 15 V 2240 pF @ 15 V 2600 pF @ 15 V
Séries - µCool™ - µCool™
Package composant fournisseur 6-UDFN (1.6x1.6) 6-UDFN (1.6x1.6) 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (2x2)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Numéro de produit de base NTLUF41 NTLUS3 NTLUS3 NTLUS3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 4.5 V 10.4 nC @ 4.5 V 28 nC @ 4.5 V 29 nC @ 4.5 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 6-UFDFN Exposed Pad 6-PowerUFDFN 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad

Fiche technique NTLUF4189NZTBG PDF

Téléchargez NTLUF4189NZTBG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTLUF4189NZTBG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Feuilles de données
NTLUF4189NZ.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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