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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTLUS3A18PZCTAG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTLUS3A18PZCTAG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTLUS3A18PZCTAG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTLUS3A18PZCTAG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Description détaillée
Emballage
6-UDFN Exposed Pad
Fiche technique
NTLUS3A18PZCTAG.pdf
En stock: 4980

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTLUS3A18PZCTAG
onsemi - NTLUS3A18PZCTAG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTLUS3A18PZCTAG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-UDFN (2x2)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2240 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Ta)  
Numéro de produit de base NTLUS3A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTLUS3A18PZCTAG

Attributs du produit NTLUS3A18PZCTAG NTLUF4189NZTBG NTLUS3C18PZTAG NTLUS3A90PZTAG
Modèle de produit NTLUS3A18PZCTAG NTLUF4189NZTBG NTLUS3C18PZTAG NTLUS3A90PZTAG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7A, 4.5V 200mOhm @ 1.5A, 4.5V 24mOhm @ 7A, 4.5V 62mOhm @ 4A, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V 3 nC @ 4.5 V 15.8 nC @ 4.5 V 12.3 nC @ 4.5 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad 6-PowerUFDFN 6-PowerUFDFN
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - - µCool™
Package composant fournisseur 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (1.6x1.6) 6-UDFN (1.6x1.6) 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2240 pF @ 15 V 95 pF @ 15 V 1570 pF @ 6 V 950 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (max) - 500mW (Ta) 660mW (Ta) 600mW (Ta)
Numéro de produit de base NTLUS3A NTLUF41 NTLUS3 NTLUS3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Ta) 1.2A (Ta) 4.4A (Ta) 2.6A (Ta)
Fonction FET - Schottky Diode (Isolated) - -
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 12 V 20 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel

Fiche technique NTLUS3A18PZCTAG PDF

Téléchargez NTLUS3A18PZCTAG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTLUS3A18PZCTAG - onsemi.

Informations environnementales
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PCN Obsolescence / EOL
EOL 23/Dec/2016.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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