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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTLUS3A18PZTAG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTLUS3A18PZTAG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTLUS3A18PZTAG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTLUS3A18PZTAG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
Description détaillée
Emballage
6-UDFN Exposed Pad
Fiche technique
NTLUS3A18PZ.pdf
État RoHS
En stock: 4560

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTLUS3A18PZTAG
onsemi - NTLUS3A18PZTAG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTLUS3A18PZTAG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-UDFN (2x2)  
Séries µCool™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)  
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2240 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Ta)  
Numéro de produit de base NTLUS3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTLUS3A18PZTAG

Attributs du produit NTLUS3A18PZTAG NTLUS4930NTAG NTLUS3A18PZCTAG NTLUS3C18PZTAG
Modèle de produit NTLUS3A18PZTAG NTLUS4930NTAG NTLUS3A18PZCTAG NTLUS3C18PZTAG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7A, 4.5V 28.5mOhm @ 6.1A, 10V 18mOhm @ 7A, 4.5V 24mOhm @ 7A, 4.5V
Séries µCool™ - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 12 V
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Package composant fournisseur 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (2x2) 6-UDFN (1.6x1.6)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±8V ±20V ±8V ±8V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-UDFN Exposed Pad 6-PowerUFDFN
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base NTLUS3 NTLUS4930 NTLUS3A NTLUS3
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta) 650mW (Ta) - 660mW (Ta)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.1A (Ta) 3.8A (Ta) 5.1A (Ta) 4.4A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V 8.7 nC @ 10 V 28 nC @ 4.5 V 15.8 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2240 pF @ 15 V 476 pF @ 15 V 2240 pF @ 15 V 1570 pF @ 6 V

Fiche technique NTLUS3A18PZTAG PDF

Téléchargez NTLUS3A18PZTAG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTLUS3A18PZTAG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Obsolete Notice 15/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
NTLUS3A18PZ.pdf
Conception / spécification PCN
Copper Wire Conversion 29/May/2014.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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