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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGT1S7N60C3D
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGT1S7N60C3D - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
HGT1S7N60C3D
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-HGT1S7N60C3D
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
HGT1S7N60C3D.pdf
État RoHS
En stock: 50540

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGT1S7N60C3D
Fairchild Semiconductor - HGT1S7N60C3D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - HGT1S7N60C3D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A  
Condition de test -  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -  
énergie de commutation -  
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns  
Puissance - Max 60 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 38 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 56 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 14 A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor HGT1S7N60C3D

Attributs du produit HGT1S7N60C3D HGTD7N60C3S9A HGT1S7N60C3DS9A HGT1S7N60A4DS
Modèle de produit HGT1S7N60C3D HGTD7N60C3S9A HGT1S7N60C3DS9A HGT1S7N60A4DS
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
énergie de commutation - 165µJ (on), 600µJ (off) 165µJ (on), 600µJ (off) 55µJ (on), 60µJ (off)
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max 60 W 60 W 60 W 125 W
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Séries - - - -
gate charge 38 nC 23 nC 23 nC 37 nC
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A 2V @ 15V, 7A 2V @ 15V, 7A 2.7V @ 15V, 7A
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262) TO-252, (D-Pak) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 14 A 14 A 14 A 34 A
Td (marche / arrêt) à 25 ° C - - - 11ns/100ns
Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns - 37 ns 34 ns
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 56 A 56 A 56 A 56 A
type de IGBT - - - -
Condition de test - - 480V, 7A, 50Ohm, 15V 390V, 7A, 25Ohm, 15V

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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