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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLZ24
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLZ24 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLZ24
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLZ24
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRLZ24.pdf
En stock: 5450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLZ24
Vishay Siliconix - IRLZ24 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLZ24

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLZ24  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLZ24

Attributs du produit IRLZ24 IRLZ14 IRLZ14STRL IRLZ24NSTRLPBF
Modèle de produit IRLZ24 IRLZ14 IRLZ14STRL IRLZ24NSTRLPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 18A (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±16V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 55 V
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Séries - - - HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A, 5V 200mOhm @ 6A, 5V 200mOhm @ 6A, 5V 60mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263) D2PAK
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IRLZ24 IRLZ14 IRLZ14 IRLZ24

Fiche technique IRLZ24 PDF

Téléchargez IRLZ24 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLZ24 - Vishay Siliconix.

Autres documents connexes
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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