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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLZ14
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLZ14 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLZ14
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLZ14
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRLZ14.pdf
En stock: 5200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLZ14
Vishay Siliconix - IRLZ14 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLZ14

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLZ14  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLZ14

Attributs du produit IRLZ14 IRLZ14SPBF IRLW630ATM IRLU9343PBF
Modèle de produit IRLZ14 IRLZ14SPBF IRLW630ATM IRLU9343PBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi International Rectifier
Séries - - - HEXFET®
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) 79W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 27 nC @ 5 V 47 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 5V 5V -
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Numéro de produit de base IRLZ14 IRLZ14 IRLW63 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 755 pF @ 25 V 660 pF @ 50 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 200 V 55 V
Package composant fournisseur TO-220AB D²PAK (TO-263) I2PAK (TO-262) IPAK (TO-251AA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 5V 200mOhm @ 6A, 5V 400mOhm @ 4.5A, 5V 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 9A (Tc) 20A (Tc)

Fiche technique IRLZ14 PDF

Téléchargez IRLZ14 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLZ14 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
Autres documents connexes
Packaging Information.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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