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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLZ24NSTRLPBF
IRLZ24NSTRLPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLZ24NSTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLZ24NSTRLPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLZ24NSTRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRLZ24NSPbF, IRLZ24NLPbF.pdf
État RoHS
En stock: 29786

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLZ24NSTRLPBF
Infineon Technologies - IRLZ24NSTRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLZ24NSTRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLZ24  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLZ24NSTRLPBF

Attributs du produit IRLZ24NSTRLPBF IRLZ24S IRLZ24NS IRLZ24STRL
Modèle de produit IRLZ24NSTRLPBF IRLZ24S IRLZ24NS IRLZ24STRL
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base IRLZ24 IRLZ24 - IRLZ24
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 60 V 55 V 60 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 45W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Package composant fournisseur D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263)
Séries HEXFET® - HEXFET® -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±16V ±10V ±16V ±10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc) 17A (Tc) 18A (Tc) 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 11A, 10V 100mOhm @ 10A, 5V 60mOhm @ 11A, 10V 100mOhm @ 10A, 5V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRLZ24NSTRLPBF PDF

Téléchargez IRLZ24NSTRLPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLZ24NSTRLPBF - Infineon Technologies.

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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