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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLZ14STRLPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLZ14STRLPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLZ14STRLPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLZ14STRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRLZ14S,L, SiHLZ14S,L.pdf
État RoHS
En stock: 30350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLZ14STRLPBF
Vishay Siliconix - IRLZ14STRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLZ14STRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLZ14  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLZ14STRLPBF

Attributs du produit IRLZ14STRLPBF IRLZ14 IRLZ14STRL IRLW630ATM
Modèle de produit IRLZ14STRLPBF IRLZ14 IRLZ14STRL IRLW630ATM
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 5V 200mOhm @ 6A, 5V 200mOhm @ 6A, 5V 400mOhm @ 4.5A, 5V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 10A (Tc) 9A (Tc)
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 755 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 27 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±20V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 200 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) TO-220AB D²PAK (TO-263) I2PAK (TO-262)
Numéro de produit de base IRLZ14 IRLZ14 IRLZ14 IRLW63
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 5V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRLZ14STRLPBF PDF

Téléchargez IRLZ14STRLPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLZ14STRLPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRLZ14S,L, SiHLZ14S,L.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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