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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLZ14STRL
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLZ14STRL - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLZ14STRL
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLZ14STRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRLZ14S,L, SiHLZ14S,L.pdf
En stock: 5470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLZ14STRL
Vishay Siliconix - IRLZ14STRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLZ14STRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLZ14  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLZ14STRL

Attributs du produit IRLZ14STRL IRLZ14SPBF IRLZ24 IRLZ14
Modèle de produit IRLZ14STRL IRLZ14SPBF IRLZ24 IRLZ14
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±10V
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 17A (Tc) 10A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IRLZ14 IRLZ14 IRLZ24 IRLZ14
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 60W (Tc) 43W (Tc)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220AB TO-220AB
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 5V 200mOhm @ 6A, 5V 100mOhm @ 10A, 5V 200mOhm @ 6A, 5V

Fiche technique IRLZ14STRL PDF

Téléchargez IRLZ14STRL PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLZ14STRL - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRLZ14S,L, SiHLZ14S,L.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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