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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLI520G
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IRLI520G - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLI520G
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLI520G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRLI520G,SiHLI520G.pdf
Notre certification
En stock: 5230

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRLI520G
Vishay Siliconix - IRLI520G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLI520G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 4.3A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.2A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLI520  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLI520G

Attributs du produit IRLI520G IRLI530G IRLI530N IRLI540N
Modèle de produit IRLI520G IRLI530G IRLI530N IRLI540N
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 PG-TO220-FP PG-TO220-FP
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IRLI520 IRLI530 - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 10V
Séries - - HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±16V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc) 42W (Tc) 41W (Tc) 54W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.2A (Tc) 9.7A (Tc) 12A (Tc) 23A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 74 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 4.3A, 5V 160mOhm @ 5.8A, 5V 100mOhm @ 9A, 10V 44mOhm @ 12A, 10V

Fiche technique IRLI520G PDF

Téléchargez IRLI520G PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLI520G - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
Feuilles de données
IRLI520G,SiHLI520G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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