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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLI530N
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRLI530N - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLI530N
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLI530N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRLI530N.pdf
Notre certification
En stock: 4260

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRLI530N
Infineon Technologies - IRLI530N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLI530N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-FP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 41W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLI530N

Attributs du produit IRLI530N IRLI630G IRLI520G IRLI540N
Modèle de produit IRLI530N IRLI630G IRLI520G IRLI540N
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Package composant fournisseur PG-TO220-FP TO-220-3 TO-220-3 PG-TO220-FP
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 200 V 100 V 100 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 9A, 10V 400mOhm @ 3.7A, 5V 270mOhm @ 4.3A, 5V 44mOhm @ 12A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 6.2A (Tc) 7.2A (Tc) 23A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V 12 nC @ 5 V 74 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±16V ±10V ±10V ±16V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries HEXFET® - - HEXFET®
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 41W (Tc) 35W (Tc) 37W (Tc) 54W (Tc)

Fiche technique IRLI530N PDF

Téléchargez IRLI530N PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLI530N - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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