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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLI3803
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLI3803 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLI3803
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLI3803
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRLI3803.pdf
En stock: 4730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLI3803
Infineon Technologies - IRLI3803 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLI3803

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-FP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 76A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLI3803

Attributs du produit IRLI3803 IRLI530G IRLI3705NPBF IRLI520N
Modèle de produit IRLI3803 IRLI530G IRLI3705NPBF IRLI520N
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4V, 5V 4V, 10V 4V, 10V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 4.5 V 28 nC @ 5 V 98 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 40A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 5V 10mOhm @ 28A, 10V 180mOhm @ 6A, 10V
Package composant fournisseur PG-TO220-FP TO-220-3 TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP
Vgs (Max) ±16V ±10V ±16V ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc) 42W (Tc) 58W (Tc) 30W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 100 V 55 V 100 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 76A (Tc) 9.7A (Tc) 52A (Tc) 8.1A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

Fiche technique IRLI3803 PDF

Téléchargez IRLI3803 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLI3803 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRLI3803.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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