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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLI540N
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRLI540N - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRLI540N
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRLI540N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRLI540N.pdf
Notre certification
En stock: 5470

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRLI540N
Infineon Technologies - IRLI540N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRLI540N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-FP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 54W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRLI540N

Attributs du produit IRLI540N IRLI520GPBF IRLI520G IRLI540GPBF
Modèle de produit IRLI540N IRLI520GPBF IRLI520G IRLI540GPBF
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 64 nC @ 5 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±16V ±10V ±10V ±10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc) 7.2A (Tc) 7.2A (Tc) 17A (Tc)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 12A, 10V 270mOhm @ 4.3A, 5V 270mOhm @ 4.3A, 5V 77mOhm @ 10A, 5V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Dissipation de puissance (max) 54W (Tc) 37W (Tc) 37W (Tc) 48W (Tc)
Séries HEXFET® - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur PG-TO220-FP TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA

Fiche technique IRLI540N PDF

Téléchargez IRLI540N PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRLI540N - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
Part Number Guide.pdf
PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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