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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLI540GPBF
IRLI540GPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLI540GPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLI540GPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLI540GPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRLI540G, SiHLI540G.pdf
État RoHS
En stock: 33780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLI540GPBF
Vishay Siliconix - IRLI540GPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLI540GPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 10A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLI540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLI540GPBF

Attributs du produit IRLI540GPBF IRLIB9343 IRLI540N IRLI530G
Modèle de produit IRLI540GPBF IRLIB9343 IRLI540N IRLI530G
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 5 V 47 nC @ 10 V 74 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 660 pF @ 50 V 1800 pF @ 25 V 930 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP TO-220-3
Vgs (Max) ±10V ±20V ±16V ±10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 10A, 5V 105mOhm @ 3.4A, 10V 44mOhm @ 12A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 5V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 14A (Tc) 23A (Tc) 9.7A (Tc)
Séries - HEXFET® HEXFET® -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base IRLI540 - - IRLI530
Tension drain-source (Vdss) 100 V 55 V 100 V 100 V
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc) 33W (Tc) 54W (Tc) 42W (Tc)

Fiche technique IRLI540GPBF PDF

Téléchargez IRLI540GPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLI540GPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
IRLI540G, SiHLI540G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRLI540GPBF

Vishay Siliconix
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