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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP28NM60ND
STP28NM60ND Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP28NM60ND - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP28NM60ND
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP28NM60ND
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
ST(B,F,P,W)28NM60ND Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 7979

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP28NM60ND
STMicroelectronics - STP28NM60ND Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP28NM60ND

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 11.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)  
Numéro de produit de base STP28  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP28NM60ND

Attributs du produit STP28NM60ND STP2N62K3 STP2N80K5 STP27N60M2-EP
Modèle de produit STP28NM60ND STP2N62K3 STP2N80K5 STP27N60M2-EP
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries FDmesh™ II SuperMESH3™ SuperMESH5™ MDmesh™ M2-EP
Tension drain-source (Vdss) 600 V 620 V 800 V 600 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 11.5A, 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V 4.5Ohm @ 1A, 10V 163mOhm @ 10A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base STP28 STP2N STP2N80 STP27N
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 100 V 340 pF @ 50 V 95 pF @ 100 V 1320 pF @ 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62.5 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 3 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 4.75V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc) 2.2A (Tc) 2A (Tc) 20A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc) 170W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±30V 30V ±25V

Fiche technique STP28NM60ND PDF

Téléchargez STP28NM60ND PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP28NM60ND - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
ST(B,F,P,W)28NM60ND Datasheet.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP28NM60ND

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