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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP28N60M2
STP28N60M2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP28N60M2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP28N60M2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP28N60M2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx28N60M2 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 27575

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP28N60M2
STMicroelectronics - STP28N60M2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP28N60M2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ II Plus  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  
Numéro de produit de base STP28  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP28N60M2

Attributs du produit STP28N60M2 STP28NM60ND STP270N4F3 STP27N3LH5
Modèle de produit STP28N60M2 STP28NM60ND STP270N4F3 STP27N3LH5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V 2090 pF @ 100 V 7400 pF @ 25 V 475 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 40 V 30 V
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc) 190W (Tc) 330W (Tc) 45W (Tc)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±22V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V 150mOhm @ 11.5A, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 20mOhm @ 13.5A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base STP28 STP28 STP270 STP27N
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 23A (Tc) 120A (Tc) 27A (Tc)
Séries MDmesh™ II Plus FDmesh™ II STripFET™ III STripFET™ V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 62.5 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 4.6 nC @ 5 V

Fiche technique STP28N60M2 PDF

Téléchargez STP28N60M2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP28N60M2 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
STx28N60M2 Datasheet.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP28N60M2

STMicroelectronics
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