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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP27N60M2-EP
STP27N60M2-EP Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP27N60M2-EP - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP27N60M2-EP
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP27N60M2-EP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf
ST(P,W)27N60M2-EP Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 12338

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP27N60M2-EP
STMicroelectronics - STP27N60M2-EP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP27N60M2-EP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ M2-EP  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 163mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Numéro de produit de base STP27N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP27N60M2-EP

Attributs du produit STP27N60M2-EP STP28NM50N STP27N3LH5 STP28N65M2
Modèle de produit STP27N60M2-EP STP28NM50N STP27N3LH5 STP28N65M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 600 V 500 V 30 V 650 V
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc) 150W (Tc) 45W (Tc) 170W (Tc)
Séries MDmesh™ M2-EP MDmesh™ II STripFET™ V MDmesh™ M2
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 163mOhm @ 10A, 10V 158mOhm @ 10.5A, 10V 20mOhm @ 13.5A, 10V 180mOhm @ 10A, 10V
Numéro de produit de base STP27N STP28 STP27N STP28
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±22V ±25V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 4.6 nC @ 5 V 35 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 21A (Tc) 27A (Tc) 20A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 100 V 1735 pF @ 25 V 475 pF @ 25 V 1440 pF @ 100 V

Fiche technique STP27N60M2-EP PDF

Téléchargez STP27N60M2-EP PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP27N60M2-EP - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Feuilles de données
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf ST(P,W)27N60M2-EP Datasheet.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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