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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP2N62K3
STP2N62K3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP2N62K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP2N62K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP2N62K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx2N62K3.pdf
État RoHS
En stock: 73790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP2N62K3
STMicroelectronics - STP2N62K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP2N62K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 620 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Tc)  
Numéro de produit de base STP2N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP2N62K3

Attributs du produit STP2N62K3 STP2N105K5 STP2NK100Z STP28NM50N
Modèle de produit STP2N62K3 STP2N105K5 STP2NK100Z STP28NM50N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Séries SuperMESH3™ MDmesh™ K5 SuperMESH™ MDmesh™ II
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 50 V 115 pF @ 100 V 499 pF @ 25 V 1735 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 620 V 1050 V 1000 V 500 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.1A, 10V 8Ohm @ 750mA, 10V 8.5Ohm @ 900mA, 10V 158mOhm @ 10.5A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base STP2N STP2N105 STP2NK100 STP28
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Tc) 1.5A (Tc) 1.85A (Tc) 21A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 60W (Tc) 70W (Tc) 150W (Tc)

Fiche technique STP2N62K3 PDF

Téléchargez STP2N62K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP2N62K3 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
STx2N62K3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP2N62K3

STMicroelectronics
32D-STP2N62K3

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