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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP2N80K5
STP2N80K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP2N80K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP2N80K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP2N80K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 2A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx2N80K5.pdf
État RoHS
En stock: 79490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP2N80K5
STMicroelectronics - STP2N80K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP2N80K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) 30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 95 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)  
Numéro de produit de base STP2N80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP2N80K5

Attributs du produit STP2N80K5 STP2NK100Z STP2N95K5 STP2N62K3
Modèle de produit STP2N80K5 STP2NK100Z STP2N95K5 STP2N62K3
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V 8.5Ohm @ 900mA, 10V 5Ohm @ 1A, 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (Max) 30V ±30V 30V ±30V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 800 V 1000 V 950 V 620 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base STP2N80 STP2NK100 STP2N95 STP2N
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc) 1.85A (Tc) 2A (Tc) 2.2A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 95 pF @ 100 V 499 pF @ 25 V 105 pF @ 100 V 340 pF @ 50 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Séries SuperMESH5™ SuperMESH™ SuperMESH5™ SuperMESH3™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 70W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)

Fiche technique STP2N80K5 PDF

Téléchargez STP2N80K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP2N80K5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
STx2N80K5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP2N80K5

STMicroelectronics
32D-STP2N80K5

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