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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTE250NS10
STMicroelectronics
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STE250NS10 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STE250NS10
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STE250NS10
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
ISOTOP
Fiche technique
STE250NS10.pdf
État RoHS
En stock: 4580

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STE250NS10
STMicroelectronics - STE250NS10 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STE250NS10

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 125A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte ISOTOP  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 31000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 900 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 220A (Tc)  
Numéro de produit de base STE250  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STE250NS10

Attributs du produit STE250NS10 STE145N65M5 STE26NA90 STE180NE10
Modèle de produit STE250NS10 STE145N65M5 STE26NA90 STE180NE10
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries STripFET™ MDmesh™ V - STripFET™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 650 V 900 V 100 V
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 31000 pF @ 25 V 18500 pF @ 100 V 1770 pF @ 25 V 21000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±30V ±20V
Numéro de produit de base STE250 STE145 STE26 STE1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 220A (Tc) 143A (Tc) 26A (Tc) 180A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 3.75V @ 1mA 4V @ 250µA
Package / Boîte ISOTOP ISOTOP ISOTOP ISOTOP
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 900 nC @ 10 V 414 nC @ 10 V 660 nC @ 10 V 795 nC @ 10 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 679W (Tc) 450W (Tc) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 125A, 10V 15mOhm @ 69A, 10V 300mOhm @ 13A, 10V 6Ohm @ 40A, 10V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

Fiche technique STE250NS10 PDF

Téléchargez STE250NS10 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STE250NS10 - STMicroelectronics.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 27/Dec/2013.pdf
Feuilles de données
STE250NS10.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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