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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTE30NK90Z
STE30NK90Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STE30NK90Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STE30NK90Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STE30NK90Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
ISOTOP
Fiche technique
STE30NK90Z.pdf
État RoHS
En stock: 4600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STE30NK90Z
STMicroelectronics - STE30NK90Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STE30NK90Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte ISOTOP  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 490 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc)  
Numéro de produit de base STE30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STE30NK90Z

Attributs du produit STE30NK90Z STE26NA90 STE40NK90ZD STE250NS10
Modèle de produit STE30NK90Z STE26NA90 STE40NK90ZD STE250NS10
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numéro de produit de base STE30 STE26 STE40 STE250
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 150µA 3.75V @ 1mA 4.5V @ 150µA 4V @ 250µA
Séries SuperMESH™ - SuperFREDmesh™ STripFET™
Package / Boîte ISOTOP ISOTOP ISOTOP ISOTOP
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Tension drain-source (Vdss) 900 V 900 V 900 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 490 nC @ 10 V 660 nC @ 10 V 826 nC @ 10 V 900 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 450W (Tc) 600W (Tc) 500W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 14A, 10V 300mOhm @ 13A, 10V 180mOhm @ 20A, 10V 5.5mOhm @ 125A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 25 V 1770 pF @ 25 V 25000 pF @ 25 V 31000 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc) 26A (Tc) 40A (Tc) 220A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique STE30NK90Z PDF

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Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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