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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTE180NE10
STE180NE10 Image
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STE180NE10 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STE180NE10
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STE180NE10
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
Emballage
ISOTOP
Fiche technique
STE180NE10.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4850

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques STE180NE10
STMicroelectronics - STE180NE10 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STE180NE10

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte ISOTOP  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 21000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 795 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc)  
Numéro de produit de base STE1  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STE180NE10

Attributs du produit STE180NE10 STE140NF20D STE250NS10 STE145N65M5
Modèle de produit STE180NE10 STE140NF20D STE250NS10 STE145N65M5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 21000 pF @ 25 V 11100 pF @ 25 V 31000 pF @ 25 V 18500 pF @ 100 V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc) 140A (Tc) 220A (Tc) 143A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc) 679W (Tc)
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP ISOTOP® ISOTOP®
Numéro de produit de base STE1 STE1 STE250 STE145
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 40A, 10V 12mOhm @ 70A, 10V 5.5mOhm @ 125A, 10V 15mOhm @ 69A, 10V
Package / Boîte ISOTOP ISOTOP ISOTOP ISOTOP
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 795 nC @ 10 V 338 nC @ 10 V 900 nC @ 10 V 414 nC @ 10 V
Séries STripFET™ STripFET™ II STripFET™ MDmesh™ V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 200 V 100 V 650 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

Fiche technique STE180NE10 PDF

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Feuilles de données
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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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