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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTE26NA90
STE26NA90 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STE26NA90 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STE26NA90
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STE26NA90
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
ISOTOP
Fiche technique
STE26NA90.pdf
En stock: 5060

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STE26NA90
STMicroelectronics - STE26NA90 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STE26NA90

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.75V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 450W (Tc)  
Package / Boîte ISOTOP  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 660 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Tc)  
Numéro de produit de base STE26  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STE26NA90

Attributs du produit STE26NA90 STE250NS10 STE180NE10 STE30NK90Z
Modèle de produit STE26NA90 STE250NS10 STE180NE10 STE30NK90Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base STE26 STE250 STE1 STE30
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 13A, 10V 5.5mOhm @ 125A, 10V 6Ohm @ 40A, 10V 260mOhm @ 14A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 660 nC @ 10 V 900 nC @ 10 V 795 nC @ 10 V 490 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.75V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 150µA
Fonction FET - - - -
Séries - STripFET™ STripFET™ SuperMESH™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1770 pF @ 25 V 31000 pF @ 25 V 21000 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Package / Boîte ISOTOP ISOTOP ISOTOP ISOTOP
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Tc) 220A (Tc) 180A (Tc) 28A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 900 V 100 V 100 V 900 V
Dissipation de puissance (max) 450W (Tc) 500W (Tc) 360W (Tc) 500W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V

Fiche technique STE26NA90 PDF

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Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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