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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTE145N65M5
STE145N65M5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STE145N65M5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STE145N65M5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STE145N65M5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
Description détaillée
Emballage
ISOTOP
Fiche technique
STE145N65M5.pdf
État RoHS
En stock: 1094

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STE145N65M5
STMicroelectronics - STE145N65M5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STE145N65M5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOTOP®  
Séries MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 69A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 679W (Tc)  
Package / Boîte ISOTOP  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18500 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 414 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 143A (Tc)  
Numéro de produit de base STE145  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STE145N65M5

Attributs du produit STE145N65M5 STE250NS10 STE180NE10 STE140NF20D
Modèle de produit STE145N65M5 STE250NS10 STE180NE10 STE140NF20D
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 679W (Tc) 500W (Tc) 360W (Tc) 500W (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±20V
Séries MDmesh™ V STripFET™ STripFET™ STripFET™ II
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Numéro de produit de base STE145 STE250 STE1 STE1
Package / Boîte ISOTOP ISOTOP ISOTOP ISOTOP
Tension drain-source (Vdss) 650 V 100 V 100 V 200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18500 pF @ 100 V 31000 pF @ 25 V 21000 pF @ 25 V 11100 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 414 nC @ 10 V 900 nC @ 10 V 795 nC @ 10 V 338 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 143A (Tc) 220A (Tc) 180A (Tc) 140A (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 69A, 10V 5.5mOhm @ 125A, 10V 6Ohm @ 40A, 10V 12mOhm @ 70A, 10V
Package composant fournisseur ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP

Fiche technique STE145N65M5 PDF

Téléchargez STE145N65M5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STE145N65M5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 17/Apr/2023.pdf
Feuilles de données
STE145N65M5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STE145N65M5

STMicroelectronics
32D-STE145N65M5

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