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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD88537NDT
CSD88537NDT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD88537NDT - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD88537NDT
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD88537NDT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
CSD88537ND.pdf
État RoHS
En stock: 33721

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD88537NDT
Texas Instruments - CSD88537NDT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD88537NDT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 10V  
Puissance - Max 2.1W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 30V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base CSD88537  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD88537NDT

Attributs du produit CSD88537NDT CSD87502Q2 CSD88599Q5DC CSD88584Q5DCT
Modèle de produit CSD88537NDT CSD87502Q2 CSD88599Q5DC CSD88584Q5DCT
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-WDFN Exposed Pad 22-PowerTFDFN 22-PowerTFDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 30V 353pF @ 15V 4840pF @ 30V 12400pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V 6nC @ 10V 27nC @ 4.5V 88nC @ 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 60V 30V 60V 40V
Package composant fournisseur 8-SOIC 6-WSON (2x2) 22-VSON-CLIP (5x6) 22-VSON-CLIP (5x6)
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 10V 32.4mOhm @ 4A, 10V 2.1mOhm @ 30A, 10V 0.95mOhm @ 30A, 10V
Puissance - Max 2.1W 2.3W 12W 12W
Numéro de produit de base CSD88537 CSD87502 CSD88599Q5 CSD88584Q5
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A 5A - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™

Fiche technique CSD88537NDT PDF

Téléchargez CSD88537NDT PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD88537NDT - Texas Instruments.

Fiche technique HTML
CSD88537ND.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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