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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD88599Q5DC
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD88599Q5DC - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD88599Q5DC
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD88599Q5DC
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
Description détaillée
Emballage
22-PowerTFDFN
Fiche technique
CSD88599Q5DC.pdf
État RoHS
En stock: 13958

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD88599Q5DC
Texas Instruments - CSD88599Q5DC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD88599Q5DC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 22-VSON-CLIP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 30A, 10V  
Puissance - Max 12W  
Package / Boîte 22-PowerTFDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4840pF @ 30V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base CSD88599Q5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD88599Q5DC

Attributs du produit CSD88599Q5DC CSD88537NDT CSD88584Q5DC CSD88539ND
Modèle de produit CSD88599Q5DC CSD88537NDT CSD88584Q5DC CSD88539ND
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Package / Boîte 22-PowerTFDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 22-PowerTFDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fonction FET - - - -
Puissance - Max 12W 2.1W 12W 2.1W
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 22-VSON-CLIP (5x6) 8-SOIC 22-VSON-CLIP (5x6) 8-SOIC
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3.6V @ 250µA 2.3V @ 250µA 3.6V @ 250µA
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60V 60V 40V 60V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V 18nC @ 10V 88nC @ 4.5V 9.4nC @ 10V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 30A, 10V 15mOhm @ 8A, 10V 0.95mOhm @ 30A, 10V 28mOhm @ 5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4840pF @ 30V 1400pF @ 30V 12400pF @ 20V 741pF @ 30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 15A - 15A
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base CSD88599Q5 CSD88537 CSD88584Q5 CSD88539

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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