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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD87503Q3E
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD87503Q3E - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD87503Q3E
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD87503Q3E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
CSD87503Q3E.pdf
État RoHS
En stock: 53830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD87503Q3E
Texas Instruments - CSD87503Q3E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD87503Q3E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSON (3.3x3.3)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 6A, 10V  
Puissance - Max 15.6W  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.4nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Source  
Numéro de produit de base CSD87503  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD87503Q3E

Attributs du produit CSD87503Q3E CSD87501LT CSD87384M CSD88539ND
Modèle de produit CSD87503Q3E CSD87501LT CSD87384M CSD88539ND
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.4nC @ 4.5V 40nC @ 10V 9.2nC @ 4.5V 9.4nC @ 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 2.3V @ 250µA 1.9V @ 250µA 3.6V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 6A, 10V - 7.7mOhm @ 25A, 8V 28mOhm @ 5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 15V - 1150pF @ 15V 741pF @ 30V
Puissance - Max 15.6W 2.5W 8W 2.1W
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur 8-VSON (3.3x3.3) 10-Picostar (3.37x1.47) 5-PTAB (5x3.5) 8-SOIC
Package / Boîte 8-PowerVDFN 10-XFLGA 5-LGA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta) - 30A 15A
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Numéro de produit de base CSD87503 CSD87501 CSD87384 CSD88539
Tension drain-source (Vdss) 30V - 30V 60V

Fiche technique CSD87503Q3E PDF

Téléchargez CSD87503Q3E PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD87503Q3E - Texas Instruments.

Assemblage / origine PCN
Assembly Materials 10/Sep/2020.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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