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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD88584Q5DCT
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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CSD88584Q5DCT - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD88584Q5DCT
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD88584Q5DCT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 40V 22-VSON-CLIP
Emballage
22-PowerTFDFN
Fiche technique
CSD88584Q5DCT.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 14153

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques CSD88584Q5DCT
Texas Instruments - CSD88584Q5DCT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD88584Q5DCT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 22-VSON-CLIP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 30A, 10V  
Puissance - Max 12W  
Package / Boîte 22-PowerTFDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12400pF @ 20V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base CSD88584Q5  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD88584Q5DCT

Attributs du produit CSD88584Q5DCT CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD88537NDT
Modèle de produit CSD88584Q5DCT CSD88599Q5DC CSD88599Q5DCT CSD88537NDT
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - - - 15A
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 12W 12W 12W 2.1W
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12400pF @ 20V 4840pF @ 30V 4840pF @ 30V 1400pF @ 30V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.6V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 40V 60V 60V 60V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base CSD88584Q5 CSD88599Q5 CSD88599Q5 CSD88537
Package composant fournisseur 22-VSON-CLIP (5x6) 22-VSON-CLIP (5x6) 22-VSON-CLIP (5x6) 8-SOIC
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 22-PowerTFDFN 22-PowerTFDFN 22-PowerTFDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 4.5V 27nC @ 4.5V 27nC @ 4.5V 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 30A, 10V 2.1mOhm @ 30A, 10V 2.1mOhm @ 30A, 10V 15mOhm @ 8A, 10V

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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