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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxCSD88537ND
CSD88537ND Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD88537ND - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD88537ND
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD88537ND
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
CSD88537ND.pdf
État RoHS
En stock: 59510

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD88537ND
Texas Instruments - CSD88537ND Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD88537ND

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 10V  
Puissance - Max 2.1W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 30V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base CSD88537  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD88537ND

Attributs du produit CSD88537ND CSD88539NDT CSD87503Q3E CSD87501L
Modèle de produit CSD88537ND CSD88539NDT CSD87503Q3E CSD87501L
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Numéro de produit de base CSD88537 CSD88539 CSD87503 CSD87501
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 10V 28mOhm @ 5A, 10V 13.5mOhm @ 6A, 10V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A 15A 10A (Ta) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Puissance - Max 2.1W 2.1W 15.6W 2.5W
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Fonction FET - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 30V 741pF @ 30V 1020pF @ 15V -
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-VSON (3.3x3.3) 10-Picostar (3.37x1.47)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 60V 60V 30V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V 9.4nC @ 10V 17.4nC @ 4.5V 40nC @ 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA 3.6V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerVDFN 10-XFLGA

Fiche technique CSD88537ND PDF

Téléchargez CSD88537ND PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD88537ND - Texas Instruments.

Fiche technique HTML
CSD88537ND.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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