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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD25310Q2
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD25310Q2 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD25310Q2
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD25310Q2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Description détaillée
Emballage
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
CSD25310Q2.pdf
État RoHS
En stock: 130210

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD25310Q2
Texas Instruments - CSD25310Q2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD25310Q2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-WSON (2x2)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.9mOhm @ 5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.9W (Ta)  
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 655 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD25310  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD25310Q2

Attributs du produit CSD25310Q2 CSD25481F4 CSD25201W15 CSD25402Q3A
Modèle de produit CSD25310Q2 CSD25481F4 CSD25201W15 CSD25402Q3A
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Package composant fournisseur 6-WSON (2x2) 3-PICOSTAR 9-DSBGA 8-VSONP (3x3.15)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.15V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V -12V -6V ±12V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Dissipation de puissance (max) 2.9W (Ta) 500mW (Ta) 1.5W (Ta) 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base CSD25310 CSD25481 CSD25201 CSD25402Q3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 4.5 V 0.913 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad 3-XFDFN 9-UFBGA, DSBGA 8-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.9mOhm @ 5A, 4.5V 88mOhm @ 500mA, 8V 40mOhm @ 2A, 4.5V 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta) 2.5A (Ta) 4A (Ta) 76A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 655 pF @ 10 V 189 pF @ 10 V 510 pF @ 10 V 1790 pF @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique CSD25310Q2 PDF

Téléchargez CSD25310Q2 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD25310Q2 - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
Marking Standardization 29/Jan/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 23/Oct/2017.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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