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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD25213W10
CSD25213W10 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD25213W10 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD25213W10
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD25213W10
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Description détaillée
Emballage
4-UFBGA, DSBGA
Fiche technique
CSD25213W10.pdf
État RoHS
En stock: 219030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD25213W10
Texas Instruments - CSD25213W10 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD25213W10

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) -6V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 4-DSBGA (1x1)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 1A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte 4-UFBGA, DSBGA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 478 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.9 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD25213  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD25213W10

Attributs du produit CSD25213W10 CSD25202W15 CSD25402Q3A CSD25304W1015T
Modèle de produit CSD25213W10 CSD25202W15 CSD25402Q3A CSD25304W1015T
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta) 4A (Ta) 76A (Tc) 3A (Ta)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 500mW (Ta) 2.8W (Ta), 69W (Tc) 750mW (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 478 pF @ 10 V 1010 pF @ 10 V 1790 pF @ 10 V 595 pF @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1.05V @ 250µA 1.15V @ 250µA 1.15V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.9 nC @ 4.5 V 7.5 nC @ 4.5 V 9.7 nC @ 4.5 V 4.4 nC @ 4.5 V
Numéro de produit de base CSD25213 CSD25202 CSD25402Q3 CSD25304W1015
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 4-UFBGA, DSBGA 9-UFBGA, DSBGA 8-PowerVDFN 6-UFBGA, DSBGA
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Package composant fournisseur 4-DSBGA (1x1) 9-DSBGA 8-VSONP (3x3.15) 6-DSBGA (1x1.5)
Vgs (Max) -6V -6V ±12V ±8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 1A, 4.5V 26mOhm @ 2A, 4.5V 8.9mOhm @ 10A, 4.5V 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V

Fiche technique CSD25213W10 PDF

Téléchargez CSD25213W10 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD25213W10 - Texas Instruments.

Emballage PCN
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf
Conception / spécification PCN
DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf DSBGA/uSIP 22/Jun/2016.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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CSD25213W10

Texas Instruments
32D-CSD25213W10

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