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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD25202W15
CSD25202W15 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD25202W15 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD25202W15
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD25202W15
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Description détaillée
Emballage
9-UFBGA, DSBGA
Fiche technique
CSD25202W15.pdf
État RoHS
En stock: 184040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD25202W15
Texas Instruments - CSD25202W15 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD25202W15

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.05V @ 250µA  
Vgs (Max) -6V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 9-DSBGA  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 2A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte 9-UFBGA, DSBGA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD25202  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD25202W15

Attributs du produit CSD25202W15 CSD25304W1015T CSD25201W15 CSD25310Q2
Modèle de produit CSD25202W15 CSD25304W1015T CSD25201W15 CSD25310Q2
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Package composant fournisseur 9-DSBGA 6-DSBGA (1x1.5) 9-DSBGA 6-WSON (2x2)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta) 3A (Ta) 4A (Ta) 20A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 10 V 595 pF @ 10 V 510 pF @ 10 V 655 pF @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 9-UFBGA, DSBGA 6-UFBGA, DSBGA 9-UFBGA, DSBGA 6-WDFN Exposed Pad
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Numéro de produit de base CSD25202 CSD25304W1015 CSD25201 CSD25310
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 750mW (Ta) 1.5W (Ta) 2.9W (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 2A, 4.5V 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V 40mOhm @ 2A, 4.5V 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V 4.4 nC @ 4.5 V 5.6 nC @ 4.5 V 4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.05V @ 250µA 1.15V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Vgs (Max) -6V ±8V -6V ±8V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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