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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD25301W1015
CSD25301W1015 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD25301W1015 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD25301W1015
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD25301W1015
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
Description détaillée
Emballage
6-UFBGA, DSBGA
Fiche technique
CSD25301W1015.pdf
État RoHS
En stock: 4090

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD25301W1015
Texas Instruments - CSD25301W1015 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD25301W1015

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-DSBGA (1x1.5)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 1A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta)  
Package / Boîte 6-UFBGA, DSBGA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD2530  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD25301W1015

Attributs du produit CSD25301W1015 CSD25213W10 CSD25202W15 CSD25211W1015
Modèle de produit CSD25301W1015 CSD25213W10 CSD25202W15 CSD25211W1015
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Tc) 1.6A (Ta) 4A (Ta) 3.2A (Ta)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 1A, 4.5V 47mOhm @ 1A, 4.5V 26mOhm @ 2A, 4.5V 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.1V @ 250µA 1.05V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta) 1W (Ta) 500mW (Ta) 1W (Ta)
Package composant fournisseur 6-DSBGA (1x1.5) 4-DSBGA (1x1) 9-DSBGA 6-DSBGA (1x1.5)
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Package / Boîte 6-UFBGA, DSBGA 4-UFBGA, DSBGA 9-UFBGA, DSBGA 6-UFBGA, DSBGA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V 478 pF @ 10 V 1010 pF @ 10 V 570 pF @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base CSD2530 CSD25213 CSD25202 CSD25211
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V 2.9 nC @ 4.5 V 7.5 nC @ 4.5 V 4.1 nC @ 4.5 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±8V -6V -6V -6V

Fiche technique CSD25301W1015 PDF

Téléchargez CSD25301W1015 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD25301W1015 - Texas Instruments.

Emballage PCN
Carrier Tape 28/Aug/2018.pdf DSBGA-6L Carrier Tape Change 28/Oct/2013.pdf
Conception / spécification PCN
DSBGA/Usip 14/Sep/2016.pdf DSBGA/uSIP 22/Jun/2016.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 20/Feb/2014.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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CSD25301W1015

Texas Instruments
32D-CSD25301W1015

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