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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD25404Q3T
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD25404Q3T - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD25404Q3T
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD25404Q3T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
CSD25404Q3T.pdf
État RoHS
En stock: 41920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD25404Q3T
Texas Instruments - CSD25404Q3T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD25404Q3T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.15V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSONP (3x3.15)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 10A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 96W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2120 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.1 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 104A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD25404  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD25404Q3T

Attributs du produit CSD25404Q3T CSD25484F4T CSD25483F4T CSD25484F4
Modèle de produit CSD25404Q3T CSD25484F4T CSD25483F4T CSD25484F4
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 104A (Tc) 2.5A (Ta) 1.6A (Ta) 2.5A (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.15V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 96W (Tc) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 10A, 4.5V 94mOhm @ 500mA, 8V 205mOhm @ 500mA, 8V 94mOhm @ 500mA, 8V
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2120 pF @ 10 V 230 pF @ 10 V 198 pF @ 10 V 230 pF @ 10 V
Séries NexFET™ FemtoFET™ FemtoFET™ FemtoFET™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.1 nC @ 4.5 V 1.42 nC @ 4.5 V 0.96 nC @ 4.5 V 1.42 nC @ 4.5 V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 3-XFDFN 3-XFDFN 3-XFDFN
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 8V 1.8V, 4.5V 1.8V, 8V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-VSONP (3x3.15) 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR
Vgs (Max) ±12V -12V -12V -12V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base CSD25404 CSD25484 CSD25483 CSD25484
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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