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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD19502Q5B
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD19502Q5B - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD19502Q5B
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD19502Q5B
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD19502Q5B.pdf
État RoHS
En stock: 28987

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD19502Q5B
Texas Instruments - CSD19502Q5B Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD19502Q5B

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 195W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4870 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD19502  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD19502Q5B

Attributs du produit CSD19502Q5B CSD18541F5T CSD19506KTT CSD19531KCS
Modèle de produit CSD19502Q5B CSD18541F5T CSD19506KTT CSD19531KCS
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Package composant fournisseur 8-VSON-CLIP (5x6) 3-PICOSTAR DDPAK/TO-263-3 TO-220-3
Package / Boîte 8-PowerTDFN 3-SMD, No Lead TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base CSD19502 CSD18541 CSD19506 CSD19531
Séries NexFET™ FemtoFET™ NexFET™ NexFET™
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 80 V 60 V 80 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 19A, 10V 65mOhm @ 1A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 7.7mOhm @ 60A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4870 pF @ 40 V 777 pF @ 30 V 12200 pF @ 40 V 3870 pF @ 50 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 500mW (Ta) 375W (Tc) 214W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta) 2.2A (Ta) 200A (Ta) 100A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 156 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3.2V @ 250µA 3.3V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V

Fiche technique CSD19502Q5B PDF

Téléchargez CSD19502Q5B PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD19502Q5B - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
Qualification Revision A 01/Jul/2014.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualification Wire Bond 27/May/2014.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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