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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD19531KCS
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CSD19531KCS - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD19531KCS
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD19531KCS
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
CSD19531KCS.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 51500

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques CSD19531KCS
Texas Instruments - CSD19531KCS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD19531KCS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 60A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 214W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3870 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD19531  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD19531KCS

Attributs du produit CSD19531KCS CSD19502Q5BT CSD19505KTT CSD19533KCS
Modèle de produit CSD19531KCS CSD19502Q5BT CSD19505KTT CSD19533KCS
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta) 100A (Ta) 200A (Ta) 100A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base CSD19531 CSD19502 CSD19505 CSD19533
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3870 pF @ 50 V 4870 pF @ 40 V 7920 pF @ 40 V 2670 pF @ 50 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 80 V 80 V 100 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 60A, 10V 4.1mOhm @ 19A, 10V 3.1mOhm @ 100A, 10V 10.5mOhm @ 55A, 10V
Dissipation de puissance (max) 214W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 300W (Tc) 188W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 8-PowerTDFN TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA TO-220-3
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220-3 8-VSON-CLIP (5x6) DDPAK/TO-263-3 TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA 3.3V @ 250µA 3.2V @ 250µA 3.4V @ 250µA

Fiche technique CSD19531KCS PDF

Téléchargez CSD19531KCS PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD19531KCS - Texas Instruments.

Assemblage / origine PCN
Site Chg 04/Dec/2015.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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