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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD18541F5
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD18541F5 - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD18541F5
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD18541F5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
Description détaillée
Emballage
3-SMD, No Lead
Fiche technique
CSD18541F5.pdf
État RoHS
En stock: 279470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD18541F5
Texas Instruments - CSD18541F5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD18541F5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 3-PICOSTAR  
Séries FemtoFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte 3-SMD, No Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 777 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD18541  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD18541F5

Attributs du produit CSD18541F5 CSD18541F5T CSD18542KTT CSD18540Q5B
Modèle de produit CSD18541F5 CSD18541F5T CSD18542KTT CSD18540Q5B
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Ta) 2.2A (Ta) 200A (Ta) 100A (Ta)
Séries FemtoFET™ FemtoFET™ NexFET™ NexFET™
Numéro de produit de base CSD18541 CSD18541 CSD18542 CSD18540
Package composant fournisseur 3-PICOSTAR 3-PICOSTAR DDPAK/TO-263-3 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 250W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package / Boîte 3-SMD, No Lead 3-SMD, No Lead TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA 8-PowerTDFN
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 1A, 10V 65mOhm @ 1A, 10V 4mOhm @ 100A, 10V 2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 777 pF @ 30 V 777 pF @ 30 V 5070 pF @ 30 V 4230 pF @ 30 V

Fiche technique CSD18541F5 PDF

Téléchargez CSD18541F5 PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD18541F5 - Texas Instruments.

Conception / spécification PCN
CSDx 15/Mar/2022.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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